DSpace Repository

Механизмы запасания энергии в ортосиликатах гадолиния, активированных ионами Ce3+

Show simple item record

dc.contributor.author Т. Н. Нурахметов
dc.contributor.author А. М. Жунусбеков
dc.contributor.author Ж. М. Салиходжа
dc.contributor.author А. Ж. Кайнарбай
dc.contributor.author С. Пазылбек
dc.contributor.author Б. Н. Юсупбекова
dc.contributor.author А. Л. Нурмышева
dc.contributor.author А. Т. Карманова
dc.contributor.author Л. Бердиходжаева
dc.contributor.author Б. Тажигулов
dc.date.accessioned 2012-06-27T17:29:56Z
dc.date.available 2012-06-27T17:29:56Z
dc.date.issued 2012-06-27
dc.identifier.issn 1028-9364
dc.identifier.uri http://dspace.enu.kz/handle/data/461
dc.description.abstract Для монокристаллов Gd2SiO5и Gd2SiO5: Ce3+методами термоактивационной спектроскопии исследованы запасания энергии ионизирующих излучений. Появление пиков термостимулированной люминесценции кристаллов Gd2SiO5 и Gd2SiO5 : Ce3+связано с рекомбинацией коррелированных дефектов. Показано, что в облученном кристаллах радиационные дефекты создаются в результате ионизации анионного комплекса SiO−56 , также возникают электронные центры захвата. Введение примеси Ce3+стимулирует образование коррелированных дефектов. en_US
dc.language.iso other en_US
dc.subject дефект, люминесценция, спектр, ион, пик en_US
dc.title Механизмы запасания энергии в ортосиликатах гадолиния, активированных ионами Ce3+ en_US


Files in this item

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Search DSpace


Browse

My Account