Abstract:
Для монокристаллов Gd2SiO5и Gd2SiO5: Ce3+методами термоактивационной спектроскопии исследованы запасания энергии ионизирующих излучений. Появление пиков термостимулированной люминесценции кристаллов Gd2SiO5 и Gd2SiO5 : Ce3+связано с рекомбинацией коррелированных дефектов. Показано, что в облученном кристаллах радиационные дефекты создаются в результате ионизации анионного комплекса SiO−56 , также возникают электронные центры захвата. Введение примеси Ce3+стимулирует образование коррелированных дефектов.
