DSpace Repository

Рассеяние носителей заряда на глубоких нейтральных центрах в высокоомных кристаллах арсенида галлия

Show simple item record

dc.contributor.author Е.А. Петрикова
dc.contributor.author М.В. Симакин
dc.date.accessioned 2012-06-26T19:38:43Z
dc.date.available 2012-06-26T19:38:43Z
dc.date.issued 2012-06-27
dc.identifier.uri http://dspace.enu.kz/handle/data/153
dc.description.abstract Высокоомные образцы арсенида галлия сейчас находят все более широкое применение как активные элементы в приборах с p−n переходами. В высокоомных кристаллах арсенида галлия наблюдается так же ряд интересных эффектов, в частности, в образцах GaAs с примесями кислорода и хрома имеет место явление доменной неустойчивости, механизмы которого из-за недостаточных сведений о параметрах глубоких центров полностью не изучены. en_US
dc.language.iso other en_US
dc.subject фото-холл эффект, детектор, электрон en_US
dc.title Рассеяние носителей заряда на глубоких нейтральных центрах в высокоомных кристаллах арсенида галлия en_US


Files in this item

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Search DSpace


Browse

My Account